コラム2026年1月6日

コラム：中国の半導体メーカー、構造的課題と今後の展望

中国の半導体産業は、成熟プロセスでの量産能力向上と内製化を進めつつ、AI・データセンター向け高性能メモリやパワー半導体の開発を加速させる段階にある。

現状（2026年1月時点）

中国の半導体産業は、国家戦略として重点的に育成されている分野であり、政府による財政支援・政策支援を受けながら急速に成長を果たしている。中国国内市場の巨大な需要（スマートフォン、AI、データセンター、自動車など）は、グローバルな半導体需要の拡大と相まって、国産化推進の原動力となっている。TrendForceの分析によると、中国国内のIC（集積回路）生産能力は着実に増大しており、多数の新設ファブ（製造工場）が稼働または建設中であることが報告されている。

しかし、米国・台湾・オランダなどによる輸出規制は依然として中国の産業発展にとって強い逆風である。先端半導体製造装置（EUV露光装置など）や高度設計ツール・IP・素材の輸出制限は、中国企業に技術的な制約を課している。また、米国の規制リストへの複数企業の指定や、台湾政府による輸出管理の強化など、外部環境が中国の半導体産業に重くのしかかっている。

米国による輸出規制という強い逆風にさらされながらも成長中

米国は2018年以降、特に2020年代に入り対中輸出規制を強化している。これは先端半導体製造装置や設計ツール、IP、先端チップの対中輸出を制限するものであり、中国の最先端半導体開発を抑制する狙いがある。これらの規制は半導体サプライチェーン全体への影響が大きく、中国企業は先端プロセス技術の獲得を困難にしている。

また、台湾政府が主要中国企業（Huawei、SMIC など）を輸出規制リストに追加したことも、中国企業にとって技術の獲得ハードルを一段と引き上げた。これにより、台湾企業からの高度な半導体材料・装置の輸出が制限され、結果として中国企業は技術導入を遅らせることを余儀なくされている。

規制下での中国政府の対応

これらの対米制裁・輸出規制を受けて、中国政府は「国産化」政策を推進し、主要半導体企業への補助金・融資・税制優遇などの支援措置を強化している。例えば、2024年には国家大基金（Big Fund）に3440億元の追加資金が投入され、製造装置や材料供給企業の育成を促進している。

中国政府はさらに、新規半導体製造設備に対して「50％以上を国内製造装置で賄う」ことを事実上義務化する方針を導入し、段階的に100％国内供給を目標とする政策を進めている。

急速な「内製化（国産化）」を推進

米国・西側の外部技術への依存を減少させ、完全な国内サプライチェーンを構築することが中国政府の最重要課題となっている。これには以下の要素が含まれる。

製造装置の自給化

中国は、半導体製造装置産業の強化を戦略的に進めている。国内企業（Naura Technology Group、Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc. China（AMEC）など）は、エッチング装置、堆積装置などの主要装置開発・生産を加速している。これら企業は特にDUVリソグラフィ装置やサブ7nmプロセスに対応可能な装置技術で進歩を見せている。

設計ツール・IPの内製化

EDA（電子設計自動化）ツールやチップ設計IPも国産化が進められており、これらの基盤技術を提供する国内企業への支援が強化されている。ただし、先端EDAやIPは米国・欧州の企業技術が依然として優位であり、国産EDA・IPの性能向上は技術的な挑戦となっている。

主要なメーカーとその活動実態

中国の半導体エコシステムは、ファウンドリ（受託生産）、メモリ、設計（ファブレス）、装置・材料、パワー半導体など多岐にわたる。ここでは主要企業とその活動を詳述する。

受託生産（ファウンドリ）

SMIC（中芯国際集成電路製造）

SMIC（Semiconductor Manufacturing International Corp.／中芯国際集成電路製造）は中国最大の受託半導体製造企業であり、上海に本社を置く。世界的に見てもトップクラスのファウンドリ企業として位置づけられている。TrendForceの分析では、SMICは28nm以上の成熟プロセスから7nmクラス（N+2）まで幅広いプロセスノードで生産能力を拡大している。米国の輸出規制によりEUVを用いた先端プロセスは困難だが、マルチパターニングや高度なDUV技術を活用して先端チップの生産を実現している。

SMICは、ファーウェイ（海思半導体）のAI・スマホ用チップなどの委託生産を主要事業としており、国内需要を吸収する形で成長している。2025年の利用率はほぼフル稼働であり、投資額も巨額に上っている。

メモリ（DRAM・NAND）

CXMT（長鑫存儲技術）

中国のDRAM専業メーカーであるChangXin Memory Technologies（長鑫存儲技術、CXMT）は、DRAM市場での存在感を急速に高めている企業である。CXMTは業界最大手（Samsung、SK Hynix、Micron）との差を縮めつつ、生産能力と技術力を向上させている。

2025年末に発表された上海IPO計画では、42億ドル（約29.5億元）の資金調達を目指し、DRAM生産設備・次世代DRAM開発への投資を加速することが明らかになった。

また、国内市場の需要増とメモリ価格の高騰を背景に、CXMTは2025年に売上を大幅に伸ばしており、2026年の黒字転換を目指している。

YMTC（長江存儲科技）

Yangtze Memory Technologies Co.（長江存儲科技、YMTC）は中国のNANDフラッシュメモリ専業企業であり、3D NAND技術の開発・量産を進めている。中国国内市場を中心に採用を進めているものの、海外顧客（例：Appleなど）との契約は米国による規制の影響で計画が頓挫した事例がある。

YMTCは独自の「Xtacking」3D NAND技術を展開しており、中国メモリ市場での存在感を高めている。同社はまた、CXMTと協力してHBM（High Bandwidth Memory）開発にも取り組んでおり、AI・データセンター向けの高帯域幅メモリ市場への進出が期待される。

設計（ファブレス）

HiSilicon（海思半導体）

ファーウェイ傘下の設計（ファブレス）企業であるHiSiliconは、中国における高性能チップ設計の代表格である。KirinシリーズのスマートフォンSoCやAI向けAscendプロセッサを開発している。米国の制裁下で設計IPやEDAへのアクセスが制限された時期もあったが、国内資源とSMICとの連携により生産を継続している。

2026年の注目動向

「レガシー（成熟）プロセス」での覇権

中国企業は28nm以上の成熟プロセス（レガシープロセス）で世界市場におけるシェアを拡大している。成熟プロセスはコスト競争力と安定性が高く、特に自動車・産業機器・IoTなどの用途で需要が旺盛である。将来的な3nm・5nmなど最先端プロセスへの挑戦は継続しているが、現時点では成熟プロセスでの優位性確立が中国の主戦場となっている。

製造装置の自給化

中国は製造装置メーカーの育成を加速しており、EUV装置の国産化に向けた研究開発が進んでいる。現状ではDUV装置やサブ7nm対応技術で一定の成果を挙げているが、EUV装置の実用化はまだ先の課題である。

2026年の最優先課題

パワー半導体

中国は電気自動車（EV）や再生可能エネルギー分野の成長に伴い、パワー半導体（SiC、GaNなど）の開発・製造を重視している。パワー半導体は車載・産業用アプリケーションに不可欠であり、国内生産能力の強化が国家戦略の核心となっている。

国内サプライチェーンを完結させる「自律分散型」の産業構造への転換

中国は、半導体の原材料、製造装置、設計ツール、製造能力を国内で完結する「自律分散型サプライチェーン」の構築を目指している。これにより外部制約の影響を最小限に抑え、国家安全保障と経済的自立を確保しようとしている。

今後の展望

中国の半導体産業は、成熟プロセスでの量産能力向上と内製化を進めつつ、AI・データセンター向け高性能メモリやパワー半導体の開発を加速させる段階にある。米国・西側の輸出規制が依然として挑戦である一方、国内市場需要の強さと政府支援、民間企業の技術革新は中国企業の成長を支えている。長期的には、成熟プロセスでの世界市場シェア拡大と高付加価値製品への進出が鍵となる。

まとめ

中国の半導体産業は国家戦略として急速に成長している。
米国・西側の輸出規制が技術導入の制約となっているが、国産化政策で対応している。
SMIC、CXMT、YMTC、HiSiliconなど主要企業が中国半導体産業を牽引している。
成熟プロセスや国産装置・材料技術への注力が今後の主戦場である。
パワー半導体や自律分散型サプライチェーン構築が最優先課題である。

参考・引用リスト

Reuters: CXMTのIPO計画、国内成長見通し
Reuters: 中国国内装置ルールと国産化政策
Reuters: 台湾による輸出規制強化
TrendForce / China Britain Business Council レポート
中国半導体企業データベース（SMIC, HiSilicon 等）

以下では、中国製半導体および中国半導体メーカーの問題点を、技術・産業構造・国際環境・経営・市場・人材・安全保障の観点から体系的に整理して説明する。評価軸は「なぜ制約が生じているのか」「どの層にボトルネックがあるのか」を明確にすることに置く。

1. 技術的問題点

1-1. 先端プロセス技術の限界

中国半導体産業の最大の構造的問題は、先端ロジックプロセス（7nm以下）における持続的量産能力の欠如である。

EUV露光装置を入手できないため、DUV多重露光に依存している
多重露光は工程数増加・歩留まり低下・コスト上昇を招く
量産時の品質安定性がTSMC・Samsungに比べて劣る

結果として、「作れること」と「安定的に大量生産できること」の間に大きなギャップが存在する。

1-2. 設計と製造の同時高度化が困難

先端半導体では、

プロセス技術
回路設計
EDAツール
IPコア

が高度に相互依存しているが、中国ではこれらを同時に世界最先端水準へ引き上げる能力が不足している。特に先端EDAツールと高信頼IPの不足は、設計段階で性能・電力効率・検証精度に制約を与えている。

2. 製造装置・材料に関する問題点

2-1. 製造装置の「部分的国産化」にとどまる現状

中国はエッチング、成膜、洗浄など一部装置では進展しているが、

リソグラフィ（特にEUV）
高精度計測・検査装置
先端CMP・マスク関連装置

といったプロセスの中核装置では依然として海外依存が大きい。

このため、装置国産化が進んでも、

「全工程を通したプロセス統合能力」

が不足し、歩留まりや再現性で不利になる。

2-2. 材料分野の品質・信頼性問題

フォトレジスト、高純度ガス、先端ウエハ、低誘電率材料などで、

長期信頼性データの不足
ロット間ばらつき
不良発生時の解析能力不足

が問題となる。半導体では「性能」よりも「安定供給と再現性」が重要であり、この点で中国材料はまだ信頼を獲得しきれていない。

3. 産業構造上の問題点

3-1. 政府主導・補助金依存体質

中国半導体産業は、

国家大基金
地方政府補助金
政策誘導投資

に強く依存している。その結果、

市場原理より政策目標が優先される
採算性の低いプロジェクトが温存される
重複投資・過剰設備が発生する

という問題が生じている。

3-2. 「量産偏重」で付加価値が低い

特に成熟プロセス分野では、

28nm以上の大量生産能力は拡大
価格競争に陥りやすい
利益率が低い

という構造になっている。結果として、規模は拡大しても収益性・技術蓄積が限定的というジレンマを抱えている。

4. 設計（ファブレス）分野の問題点

4-1. 最先端IP・アーキテクチャへの制約

中国ファブレス企業は、

ARMの先端IP制限
高性能GPU・AIアクセラレータ設計ノウハウ不足
チップレット・先端パッケージ技術の遅れ

といった問題を抱えている。結果として、性能・電力効率・エコシステムの完成度で世界トップに劣る。

4-2. ソフトウェア・エコシステムとの断絶

半導体はハード単体では成立せず、

OS
コンパイラ
AIフレームワーク
開発者コミュニティ

との統合が不可欠である。中国製チップは、

海外ソフトとの互換性不足
最適化不足
グローバル開発者の支持不足

により、「使いにくいチップ」になりやすい。

5. メモリ分野の問題点

5-1. 技術世代の遅れ

DRAM・NANDともに、

世代遷移が1〜2世代遅れ
微細化・積層数で不利
電力効率・信頼性で差

が存在する。特にHBMなど高付加価値製品では、市場参入自体が限定的である。

5-2. 市場価格変動への脆弱性

メモリは景気循環が激しく、

不況期には赤字が拡大
補助金なしでは生存困難

という構造を持つ。中国メーカーはコスト競争力・ブランド力で劣るため、市況悪化時の耐久力が低い。

6. 人材・組織の問題点

6-1. トップ人材の不足と流動性の限界

世界最先端プロセス経験者が少ない
海外からの引き抜きが政治的に困難
経験の蓄積が世代を超えて継承されにくい

半導体は「暗黙知」が極めて重要な産業であり、この不足は致命的である。

6-2. 官僚的組織文化

意思決定が遅い
技術的失敗が許容されにくい
短期成果主義

が、長期的な技術蓄積を阻害している。

7. 国際環境・信頼性の問題点

7-1. 地政学リスクによる「中国製回避」

多くの国・企業は、

制裁リスク
サプライチェーン分断リスク
政治介入リスク

を理由に、中国製半導体の採用を慎重に判断している。これは技術力とは別の「信頼性問題」である。

7-2. 国際標準・ルール形成での不利

標準化団体での影響力不足
知財紛争リスク
輸出管理対象化の常態化

により、グローバル市場での自由な事業展開が難しい。

8. 本質的な構造問題の整理

中国半導体産業の問題は、単一要因ではなく、以下の多層的制約にある。

技術的制約（装置・EDA・IP）
産業構造の歪み（補助金依存・過剰投資）
エコシステム不足（ソフト・標準・人材）
地政学的制約（制裁・信頼性）
長期経験の不足（時間でしか解決しない要素）

結論

中国製半導体およびメーカーの問題点は、「努力不足」ではなく、半導体産業が持つ本質的な複雑性と、外部環境による制約が重層的に作用している点にある。短期的には成熟プロセスや国内市場での自給率向上は可能であるが、世界最先端での持続的競争力獲得には、時間・信頼・エコシステムという非金銭的要素が最大の壁となっている。

さらに、中国半導体産業を軸に、
① 日本・台湾・韓国との比較
② 米国の制裁がなかった場合の反実仮想分析
③ 10年スパンで見た技術収斂可能性
を相互に関連づけながら体系的に論じる。前提として、半導体産業は「資本・技術・人材・時間・信頼」が同時に必要な極めて累積的産業であるという点を強調しておく。

Ⅰ．日本・台湾・韓国との比較

1．比較の前提：半導体産業の「勝ち筋」の違い

まず重要なのは、日本・台湾・韓国はいずれも同じやり方で成功したわけではないという点である。

日本：材料・装置・成熟技術の徹底的な品質支配
台湾：ファウンドリ特化という産業モデルの純化
韓国：国家主導によるメモリ一点集中戦略

これに対し中国は、「すべてを同時に自前で揃えようとする総合化戦略」を取っている点が本質的に異なる。

2．日本との比較：積み上げ型技術 vs 動員型技術

2-1．日本の強み

日本の半導体産業の強みは、以下に集約される。

製造装置（露光、計測、洗浄、CMP）
材料（フォトレジスト、シリコンウエハ、化学薬品）
プロセスノウハウ（歩留まり・再現性）

日本は「世界最先端でなくても、世界で最も安定した品質を出す」という思想で半導体産業を築いてきた。

2-2．中国との決定的差

中国は資本投入とスピードでは日本を圧倒するが、

品質の長期安定性
現場での暗黙知
世代を超えた技術継承

において日本に大きく劣る。これは金で一気に解決できない領域であり、中国が最も苦戦している部分でもある。

3．台湾との比較：エコシステム純度の差

3-1．台湾モデルの本質

台湾（TSMC）の強さは、

ファウンドリに100%特化
顧客と競合しない
IP・EDA・設計会社との完全な信頼関係

という「産業的純度」にある。

TSMCは技術企業である前に、信頼インフラである。

3-2．中国ファウンドリの限界

SMICなど中国ファウンドリは、

国家安全保障目的を背負う
特定顧客（Huawei等）への依存が大きい
政策介入リスクが常に存在

するため、グローバル顧客から見て「中立的な製造委託先」になりにくい。これは技術以前の構造的問題である。

4．韓国との比較：一点突破 vs 全方位展開

4-1．韓国の成功要因

韓国は、

メモリ（DRAM・NAND）に極端に集中
巨額投資とサイクル耐性
技術世代移行の高速化

により、世界市場を制した。

4-2．中国との違い

中国もメモリに参入しているが、

DRAM・NAND・ロジック・装置・材料を同時展開
投資分散による技術密度低下
市況悪化時の耐性不足

という問題を抱える。韓国が「一点突破」だったのに対し、中国は「全面展開」であり、資源集中度が決定的に違う。

Ⅱ．米国の制裁がなかった場合の反実仮想分析

1．制裁がなければ何が起きていたか

米国の制裁が存在しなかった場合、中国半導体産業は以下の道を辿っていた可能性が高い。

TSMC・Samsungの先端プロセスを継続利用
ASMLのEUV装置を段階的に導入
Apple・Qualcomm等との協業拡大
国産化より「国際分業」志向が強化

つまり、中国は「追いつく努力」より「買う・使う・統合する」戦略を取っていたと考えられる。

2．短期的影響：技術水準は確実に高まっていた

制裁がなければ、

先端SoCの量産継続
設計力の急速な洗練
人材の国際循環

が進み、中国のファブレス設計力は現在より明確に高かった可能性が高い。

3．長期的には「完全自立」は遅れていた可能性

一方で逆説的だが、制裁がなければ、

製造装置国産化
材料自給
EDA内製

といった分野への本気の投資は遅れていた可能性が高い。

制裁は中国にとって「技術的ショック」であると同時に、
産業自立を強制する触媒でもあった。

Ⅲ．10年スパンで見た技術収斂可能性

1．技術収斂が起こりやすい領域

今後10年で、中国が先進国にかなり接近できる可能性が高い領域は以下である。

成熟プロセス（28nm以上）
パワー半導体（SiC・GaN）
車載・産業用半導体
一部メモリ（汎用品DRAM・NAND）
製造装置の中核以外の分野

これらは、

EUV非依存
性能よりコスト・供給安定性重視
国内需要が巨大

という特徴を持つ。

2．技術収斂が起こりにくい領域

逆に、10年経っても差が残る可能性が高いのは、

2nm以下の先端ロジック
最先端GPU・AIアクセラレータ
HBM最上位世代
先端EDA・IP
極端紫外（EUV）露光技術

である。これらは、

世代間累積が極端に強い
失敗の蓄積が競争力になる
エコシステム全体が必要

という性質を持つ。

3．「追いつく」のではなく「別の頂」を作る可能性

中国が現実的に目指すのは、

TSMC・NVIDIAと同じ山を登ること
ではなく、
別の山を作ること

である。

具体的には、

国内市場完結型の半導体体系
政策・軍事・インフラ用途最適化
成熟技術×巨大需要による独自標準

という方向である。これは技術覇権ではなく、産業主権の確立に近い。

結論：三つの視点を統合した評価

日本・台湾・韓国は「集中と時間」で勝った
中国は「動員と規模」で追い上げている
制裁は短期的には阻害要因だが、長期的には自立を促進
10年後、中国は「世界最先端」ではなく
「自律的に回る巨大半導体圏」を完成させている可能性が高い

中国半導体の将来を理解する鍵は、
「世界一になれるか」ではなく「他国に依存せずに生きられるか」
という評価軸にある。